سامسونج تتنج أولى ذواكر dram فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت
 

أعلنت شركة سامسونج الرائدة في صناعة الذواكر عالمياً عن شحنها أول مليون رقاقة ذاكرة 10 نانومتر DDR4 مبنية على تقنية ألترا فولت؛ والتي من شأنها أن تعطي تحسناً ملحوظاً على... اقرأ المزيد ←

The post سامسونج تتنج أولى ذواكر DRAM فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت appeared first on بوابة إشراق العالم.



http://eshraag.com/upload/viewimages/0d8df2c337.png